174401, Новгородская область
г.Боровичи, ул.А.Невского, 10

Рус | Eng

  +7 (816 64) 4-42-88

Трансформаторы импульсные для сетей ISDN и Блоки

Трансформаторы импульсные серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.

Трансформаторы выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Трансформаторы помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120°C по UL746B.

 

СХЕМЫ

 

Типономинал трансф. Отн. числа витков, +- 2% Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) Сопрот. обмоток пост. току, Oм, +- 20% Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, kВ (5) Вид корпуса Схема намотки и распайки
RI RIII R II
MSAPT-2So-11A 1:4:1 35 2,0 90 0,6 3,8 750 2,5 Фиг. 1 n° 1
MSAPT-2Up-11A 1:2,5:1 2,0 (1') 5,3 100 0,8 2,0 - 2,5 Фиг. 1 n° 1
MSAPT-3So-11A 1:4:1 35 2,0 90 0,6 3,8 750 2,0 Фиг. 2 n° 1
MSAPT-3S1-33B 2:2:1:1 35 4,0 100 0,8 2,5 750 2,0 Фиг. 2 n° 2
MSAPT-2S1-33B 2:2:1:1 35 4,0 120 0,8 2,5 750 2,0 Фиг. 2 n°3
(1) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ
(1') При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, Iпост = 4500 мА х вит
(2) При F = 100 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и IV коротко замкнуты
(3) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ
(4) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ, Iпост = 66 мА х вит
(5) F = 50 кГц, время испытания - 1-2 сек.

 

 

Блоки трансформаторов импульсных для сетей ISDN

Блоки трансформаторов импульсных серии MSAPT предназначены для применения в системах телекоммуникации стандарта ISDN для передачи информации в цифровой форме и согласования интерфейсной линии с приёмными и передающими устройствами.

Блоки трансформаторов выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Блоки трансформаторов помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпусов соответствуют классу огнестойкости UL94-VO и степени 120°C по UL746B.

 

СХЕМЫ

 

Типономинал трансф. Отн. числа витков, +- 2% Индуктивность первичной обмотки L I + III, мкГн, min (1) Индуктивность рассеяния первичной обмотки L I + III, мкГн, max (2) Межобм. ёмкость C w/w пФ, max (3) Сопрот. обмоток пост. току, Oм, +- 20% Импеданс первичной обмотки, ZI = ZIII Oм, min (4) Мин. электр. прочность изоляции, Uэфф, kВ (5)
RI RIII R II Между II и I+III обмотками
MSAPT-2So-22A (1:2)x2 35 2,0 90 0,6 3,8 750 2,0
MSAPT-2So-22B (1:1)x2 30 2,0 80 2,0 2,0 - 2,0
(1) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ
(2) При F = 10 кГц, Uэфф = 100 мВ, обмотки II и II' коротко замкнуты
(3) При F = 10 кГц, Urms = 100 мВ
(4) При F = 20 кГц, Urms= 100 мВ, Iпост = 66 мА х вит
(5) Время испытания - 1 сек.

 

 

Дроссели интерфейcные для сетей ISDN

Синфазные дроссели типа MSSAT предназначены для использования в сетях ISDN или им аналогичных в качестве тококомпенсирующих элементов схемы и обладают следующими преимуществами:

  • низкие общие потери в широком диапазоне частот;
  • малый объём, компактная конструкция (несколько обмоток на 1 магнитопроводе);
  • малые индуктивность рассеивания и паразитная ёмкость.

Дроссели выполнены на основе тороидальных магнитопроводов, навитых из тонкой аморфной ленты на основе кобальта. Дроссели помещены в пластмассовый корпус и залиты компаундом. Материалы корпуса соответствуют классу огнестойкости UL94-V0 и степени 120° C по UL746B.

 

 

СХЕМЫ

Типовое применение дросселей (интерфейс So)>

 

 

ПАРАМЕТРЫ РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ ТИП ДРОССЕЛЯ ВЕЛИЧИНА, РАЗМЕРНОСТЬ, ЧИСЛО ОБМОТОК СХЕМА РАСПОЛОЖЕНИЯ ВЫВОДОВ СХЕМА ЭЛЕКТРИ- ЧЕСКАЯ
Индуктивность намагничивающей обмотки +50/-30% Напряжение 0,04 В Частота 10 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 4x11,5 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) 2x28 мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) 4x58 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) 4x1,7мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) 2x70 мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) 4 x 5 мГн Фиг. 1, 3 Фиг. 5
MSSAT07 (ДИ7) 4x40 мГн Фиг. 1 Фиг. 5
MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) 2x230мГн Фиг. 2, 4 Фиг. 6
Коэффициент трансформации между обмотками Напряжение на первичной обмотке 0,04 В Частота 10 кГц MSSAT01 ... MSSAT08 (ДИ1 ... ДИ8) 1,0+-1%    
Электрическая прочность изоляции между обмотками Испытательное напряжение переменного тока частотой 50 кГц Время выдержки 2 сек MSSAT01, MSSAT02 (ДИ1, ДИ1У, ДИ2, ДИ2У) 1 кВ    
MSSAT07, MSSAT08 (ДИ7, ДИ8, ДИ8У) 0,5 кВ
Индуктивность рассеяния первой обмотки при коротко замкнутых поочерёдно остальных обмотках max Напряжение 2 В Частота 10 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 0,5 мкГн    
MSSAT02 (ДИ2, ДИ2У) 1,0 мкГн
MSSAT03 (ДИ3, ДИ3У) 1,5 мкГн
MSSAT04 (ДИ4, ДИ4У) 2,0 мкГн
MSSAT05 (ДИ5, ДИ5У) 1,0 мкГн
MSSAT06 (ДИ6, ДИ6У) 0,5 мкГн
MSSAT07 (ДИ7) 2,0 мкГн
MSSAT08 (ДИ8, ДИ8У) 5,0 мкГн
Баланс импеданса max Напряжение 40 мВ Частота 100 кГц MSSAT01 (ДИ1, ДИ1У) 2,0 Ом max    

Консультация по услугам

Менеджеры компании с радостью ответят на ваши вопросы и произведут расчет стоимости услуг и подготовят индивидуальное коммерческое предложение.

Наши партнёры